胡冬青

发布时间:2016-10-20 10:43:15

胡冬青,女,副研究员

教育背景:1988年兰州大学理论物理专业毕业,2002年兰州大学凝聚态物理专业硕士毕业,2005年兰州大学微电子学与固体电子学专业博士毕业。1988年本科毕业后在兰州铁道学院(现兰州交通大学)从事大学物理教学与实验工作。1999—2005年在兰州大学从事功率半导体器件——静电感应器件(SIT、BSIT、SITH、SIPT)的研究,2005年到现在,在北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室从事MOSFET、IGBT、FRD等新型功率半导体器件研究,期间2007年-2008年应邀到香港科技大学做访学,进行内透明集电区IGBT的合作研究。

研究方向:目前主要研究方向为功率半导体器件与功率集成电路,近几年参加过多项国家、省部级、市级项目研究,发表学术论文20余篇,其中半数以上被SCI、EI、ISTP检索。

在研项目:

国家自然科学基金面上项目:内透明集电区IGBT——一类新结构IGBT

与企业合作横向项目:智能功率模块研究;功率快恢复二极管FRD研制。

目前主讲课程:《专业概论》(面向本科生),《功率集成电路》(面向研究生)

联系方式:Email:hudongqing@bjut.edu.cn

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