研究方向
1. 微电子器件在线无损温度测量技术研究：针对国家电网、卫星制造等工程需求，利用工作条件下的电流/电压/延迟时间等参数与温度的对应关系，研究无损、在线获取微电子器件峰值温升及瞬态温度的技术方法，并研制相关测温设备。
2. 微电子器件可靠性评价及失效分析：针对军方及航天对高可靠性关键器件的应用需求，开展Si /GaN/SiC等材料功率器件的筛选实验、失效率实验及寿命实验等评价方法及标准的研究，分析失效机理，保障器件的长期使用可靠性。
个人简介
博士，副教授/硕导。IEEE Trans. Power Electronics, 物理学报等学术刊物审稿人。致力于半导体器件芯片温度无损测量、失效分析与可靠性评价方法的研究。主持国家自然科学基金、863、北京市自然科学基金、军方共性课题等多项课题，在相关研究方向发表SCI /EI检索论文五十余篇，授权国家发明专利二十余项。
教育简历
(1) 2001-07 至 2007-03, 北京工业大学, 微电子学与固体电子学, 博士
(2) 1997-09 至 2001-07, 山东大学, 微电子学, 学士
工作履历
(1) 2013-06 至今, 北京工业大学, 信息学部电子科学与技术学院, 副教授
(2) 2007-06 至 2013-05, 北京工业大学, 电控学院, 讲师
课程教学
本科生教学：半导体理论
研究生教学：半导体器件及集成电路失效分析技术
科研项目
1. IGBT模块各芯片温度不均匀性研究，军方共性课题；
2. 双面散热热阻测试方法研究，企事业委托项目；
3. 氮化镓发光管（GaN LED）参数退化模型的研究，国家自然科学基金青年项目；
4. 浪涌电流导致SiC MOS芯片瞬态温升的无损表征及烧毁机理研究，北京市自然基金；
5. 陶封ROPUF及Flash可靠性试验，企事业委托项目；
6. 某型号集成电路可靠性评估方案及实验，企事业委托项目；
7. IGBT模块高温反偏实验中在线直接测温技术研究， 国家重点实验室基金；
8. SSPC组件内部关键器件的瞬态温升测量方法的研究，GF科工局科研项目；
荣誉和获奖
1. 中国电子学会技术发明二等奖，2019；
2. 北京市科学技术奖-技术发明二等奖，2021；
主要论文论著
[1] Chunsheng Guo; Shaoxiong Cui; Wenyi Tsai; Yunong Liu; Juewen Ding; Jinyuan Li; Zhongyuan Chen; Yaosheng Li; Shijie Pan; Shiwei Feng ; Measuring Double-Sided Thermal Resistance of Press-Pack IGBT Modules Based on Ratio of Double-Sided Heat Dissipation, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023.
[2] Di Zhao; Chunsheng Guo;; Yumeng Li; Shijie Pan; Shiwei Feng; Hui Zhu ; Study of the temperature distribution in insulated gate bipolar transistor module under different test conditions, Microelectronics Reliability, 2023, 140(114880)
[3] Chunsheng Guo; Shiwei Zhang; Lei Wei; Hao Li; Sijin Wang; Konggang Zhu ; Junction temperature measurement method for IGBTs using turn-on miller plateau duration, Journal of Power Electronics, 2021, 21(9): 1374-1382
[4] Chunsheng Guo; Ruomin Wang; Yuwei Zhang; Guoxi Pei; Shiwei Feng; Zhaoxian Li ; Identifying defect energy levels using DLTS under different electron irradiation conditions, Nuclear Science and Techniques, 2017, 28(183)
[5] Zhiheng Liao; Chunsheng Guo; Ju Meng; Boyang Jiang; Li Gao; Ya Su; Ruomin Wang; Shiwei Feng ; Thermal evaluation of GaN-based HEMTs with various layer sizes and structural parameters using finite-element thermal simulation, Microelectronics Reliability, 2017, 74: 52- 57
