研究方向

(1) 边发射半导体激光器新结构与新工艺研究。主要关注点：功率特性、光束质量特性、热特性。

(2) 垂直腔面发射半导体激光器新结构与新工艺研究研究。主要关注点：功率特性、模式特性、腔内耦合特性。

(3) 半导体光电器件模拟及新结构分析。

(4) 激光器倍频及信息处理应用。

(5) 半导体光电子器件封装与可靠性评价。

个人简介

崔碧峰，女，1972年出生，副教授，2004年毕业于北京工业大学微电子学与固体电子学专业，获博士学位。现任北京工业大学信息学部电子科学与技术系副主任。

教育简历

(1) 2001-09 至 2004-07, 北京工业大学, 微电子学与固体电子学, 博士

(2) 1998-09 至 2001-07, 北京工业大学, 微电子学与固体电子学, 硕士

(3) 1989-09 至 1993-07, 长春光学精密机械学院, 应用物理系应用光学专业, 学士

工作履历

(1) 1993-09至1998-07 北京光学仪器厂 工程师

（2）2004-07 至今  北京工业大学  教师

学术兼职

《光学学报》、《材料导报》、《Chinese Physics B》等期刊审稿人

课程教学

本科生教学：《高级半导体激光器物理》、《半导体激光器物理》、《半导体激光器物理与制备》

研究生教学：《电磁场理论》、《学术写作》、《新生研讨课》

科研项目

(1) 大功率底发射垂直腔面激光器的研究  北京市委组织部优秀人才培养计划

(2) 量子阱激光器内部热分布的研究   北京市自然科学基金

(3) 大功率半导体激光器芯片外延与制备技术研发   企事业退税项目

(4) **********************        先进技术企事业委托项目

(5) 半导体激光器工艺制备研究    技术转移项目（非成果转化）-企事业委托项目

荣誉和获奖

(1) 2011年北京市科技进步奖 一等奖 新型高性能发光二极管材料与器（排名8/15）

(2) 2021年北京市教育教学成果奖 二等奖 基于战略产业需求为导向的微电子人才培养体系的创新与实践 （排名第5/13）

代表性研究成果

大功率边发射半导体激光器产业化研究，获得企业与北京市教委资助，专利在相关公司得到应用。

主要论文论著

[1] Houlei Wang; Liang Kong; Adam Forrest; David Bajek; Stephanie E.Haggett; Xiaoling Wang; Bifeng Cui; JIaoqing Pan; Ying Ding; Maria Ana Cataluna ; ultrashort pulse generation bysemiconductor mode-locked lasers at 760nm, Optical express, 2014, 22(21): 25940-25946 (期刊论文)

[2] Xu Xin-Wei; Cui Bi-Feng; Zhu Yan-Xu; Guo Wei-Ling; Li Wei-Guo ; Research of dielectric photonic crystal on red LED to increase luminous flux, Acta Physica Sinica, 2012, 61(15): 0-154213 (期刊论文)

[3] Cui Bi-Feng; Guo Wei-Ling; Du Xiao-Dong; Li Jian-Jun; Zou De-Shu; Shen Guang-Di ; Atunnel regenerated coupled multi-active-region large optical cavity laser with a high quality beam, Chinese Physics B, 2012, 21(9): 0-094209 (期刊论文)

[4] CUI Bi-feng; WANG Yang; FANG Tian-xiao; HAO Shuai; CHENG Jin; LI Cai-fang ; Study on electronic blocking layer of 403 nm GaN-based vertical cavity surface emitting lasers,OPTOELECTRONICS LETTERS, 2019, 15(6): 0411-0416 (期刊论文)

[5]  Tianxiao Fang; Bifeng Cui; Shuai Hao; Yang Wang ; The simulation of thermal characteristics of 980 nm vertical cavity surface emitting lasers, Journal of Semiconductors,2018, 39(2): 024001-1-024001-5 (期刊论文)