研究方向

一：半导体电子器件&光电芯片的设计与制备，如Light Emitting Diode、Solar Cell，Laser Diode、HEMT、Detector等等

二：基于软硬件结合的智能识别&应用，如低空无人机识别与检测，基于摄像头的智能识别与检测，智能家居光电应用系统等等

个人简介

朱彦旭，微电子学博士，北京工业大学信息学部，学硕&专硕研究生导师。主要从事半导体器件/芯片的设计与制备以及智能识别&检测。具有多年在半导体器件与芯片的理论和经验积累，承担了包括国家重点研发计划子项、国家自然科学基金与企事业研发等多项课题，在APL、CPL等期刊上发表SCI&EI论文近百篇，申请发明专利十余项。

教育简历

2002.9-2007.7，北京工业大学，电控学院，微电子，硕博连读，博士

1996.9-2000.7，河北大学，物理学院，应用光学，本科，学士

工作履历

2007.6-至今，北京工业大学，信息学部，教师

2000.8-2002.8，唐山开滦集团电信分公司，工程师

学术兼职

担任国家自然基金的评阅人；APL，CPL等期刊的reviewer等

课程教学

本科生教学：主讲《特种器件与敏感器件》；《半导体物理与半导体器件物理》；《物联网基础器件》；

研究生教学：主讲《现代半导体器件制备工艺》

科研项目

主持及参与多项国家自然科学基金、国家重点研发计划、北京市自然科学基金、北京市教委、企事业等课题十余项：GaN功率开关器件驱动与系统集成技术研究；高性能芯片制备与测试；基于GaN基 HEMT隔膜力-电耦合机制的红外探测器研等。

荣誉和获奖

2011年获得北京市科学技术一等奖

代表性研究成果

具有电荷输运限制的高压发光二极管；

基于具有光敏感栅极HEMT的红外探测器；

基于深度学习的空中低小慢无人机目标检测；

基于FPGA的摄像头实时采集与旋转功能设计 

主要论文论著 

[1] Research on photosensitive gate ferroelectric integrated GaN HEMT photodetector（SCI）

[2] A Novel Ring-Gate AlGaN/GaN HEMT Device and Electrode Structure Optimization（SCI）

[3] Enhanced output of GaN-based light-emitting diodes with stripe-contact electrodes（SCI）

[4] Detection of low, small, and slow targets in the air based on improved YOLOv5(EI)